詳解半導體失效分析流程方法總結返回列表

1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析

2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡)

(1)材料內部的晶格結構，雜質顆粒，夾雜物，沉淀物，

(2) 內部裂紋。(3)分層缺陷。(4)空洞，氣泡，空隙等。

3. X-Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段)

4.SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀(材料結構分析/缺陷觀察，元素組成常規微區分析，精確測量元器件尺寸)

5.取die，開封 使用激光開封機和自動酸開封機將被檢樣品(不適用于陶瓷和金屬封裝)的封裝外殼部分去除，使被檢樣品內部結構暴露。

6. EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測(這三者屬于常用漏電流路徑分析手段，尋找發熱點，LC要借助探針臺，示波器)

7.切割制樣:使用切割制樣模塊將小樣品進行固定，以方便后續實驗進行

8.去層:使用等離子刻蝕機(RIE)去除芯片內部的鈍化層，使被檢樣品下層金屬暴露，如需去除金屬層觀察下層結構，可利用研磨機進行研磨去層。

9. FIB做一些電路修改，切點觀察

10. Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試。

11. ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試(有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試，有些客戶是失效發生后才想到要篩取良片送驗)這些已經提到了多數常用手段。

除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ，二次離子質譜 SIMS，飛行時間質譜TOF - SIMS ，透射電鏡TEM ， 場發射電鏡，場發射掃描俄歇探針， X 光電子能譜XPS ，L-I-V測試系統，能量損失 X 光微區分析系統等很多手段，不過這些項目不是很常用。

芯片分析

失效分析步驟：

1.一般先做外觀檢查，看看有沒有crack，burnt mark 什么的，拍照;

2.非破壞性分析：主要是xray--看內部結構，超聲波掃描顯微

鏡(C-SAM)--看有沒delaminaTIon，等等;

3.電測：主要工具，IV，萬用表，示波器，sony tek370b;

4.破壞性分析：機械decap，化學 decap 芯片開封機。

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